삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하기 위해 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다고 28일 밝혔다.삼성전자는 이날 중국 산시성 시안시에서 후허핑 산시성 성위서기, 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 김기남 삼성전자 대표이사(사장) 등이 참석한 가운데 ‘삼성 중국 반도체 메모리 제2 라인 기공식’을 열었다.
지난해 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억불을 투자하기로 했다.
삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 대응할 계획이다.
주요 기사
![[新유통대전㉓] Z세대 병사 취향 저격…‘軍 급식 시장’ 노리는 식품업계](https://www.cnbnews.com/data/cache/public/photos/cdn/20241147/art_1732264365_176x135.jpg)
ⓒ 2004~2024 Copyright by CNBNEWS. All rights reserved. (주)CNB미디어 사업자등록번호 : 206-81-40424 전화 02-396-3733 FAX:02-396-7330
대표이사 : 황용철 서울시 서대문구 연희로 52-20 정기간행물 등록번호 : 서울아00105 (2005.11.7) 발행일 : 2005.4.11 CNB뉴스 발행인·편집인: 황용철, 편집국장 : 도기천,
청소년보호책임자 : 류창림, CNB뉴스에 실린 내용 중 제휴기사, 칼럼 등 일부 내용은 CNB뉴스의 공식 견해와 다를 수 있습니다.
대표이사 : 황용철 서울시 서대문구 연희로 52-20 정기간행물 등록번호 : 서울아00105 (2005.11.7) 발행일 : 2005.4.11 CNB뉴스 발행인·편집인: 황용철, 편집국장 : 도기천,
청소년보호책임자 : 류창림, CNB뉴스에 실린 내용 중 제휴기사, 칼럼 등 일부 내용은 CNB뉴스의 공식 견해와 다를 수 있습니다.