▲HBM2 D램의 단면을 확대한 사진. (사진제공=삼성전자)
HBM D램은 TSV 기술을 적용해 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결함으로써 기존의 금선을 이용한 D램 패키지에 비해 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올린 제품이다.
TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술은 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.
삼성전자가 이번에 양산한 4기가바이트 HBM D램은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) HBM2 D램 4개로 이루어져 있으며 1개의 버퍼칩 위에 4개의 코어칩을 적층하고 각 칩을 TSV 접합볼(Bump, 범프)로 연결한 구조다.
2세대 HBM규격(HBM2)을 만족하는 제품으로 기존 1세대 규격보다 2배 빠른 속도를 갖추었고 ‘초절전, 초슬림, 고신뢰성’까지 구현했다.
삼성전자는 작년 10월 ‘128기가바이트 DDR4 D램 모듈’을 양산하며 초고속 메모리 시장을 크게 확대한 지 2개월 만에 ‘2세대 HBM D램’ 양산에 성공하며 차세대 그래픽 D램 시장을 선점했다. 삼성전자는 금년 상반기에 용량을 2배 올린 '8기가바이트 HBM2 D램’도 양산할 계획이다.
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