▲9일부터 가동에 들어간 중국 시안의 삼성전자 메모리 반도체 공장(사진: 연합뉴스)

삼성전자는 9일 산시성 시안시에 새로 건설한 메모리 반도체 공장의 준공식을 갖고 본격적인 제품생산에 돌입했다고 밝혔다.

이날 준공식에는 산시성 성위서기 자오쩡융, 산시성 성장 러우친젠, 공신부 부장 먀오웨이, 국가발개위 부주임 쉬셴핑, 권영세 주중 한국대사, 전재원 주시안 총영사 등과 권오현 부회장을 비롯한 삼성전자 경영진이 참석했다.

이번에 건립된 삼성전자 중국 메모리 반도체 공장은 지난 2012년 9월 기공식을 갖고 약 20개월 간의 공사기간을 통해 완성됐다.

단지는 총 34.5만평의 부지에 연면적 7만평 규모로 건설되었으며, 한국에서 이미 성능과 양산성을 확인한 10나노급 낸드플래시(V-NAND) 메모리를 두 번째로 생산한다.

삼성전자는 시안 메모리 반도체 공장의 가동으로 한국, 중국, 미국을 연결하는 ‘글로벌 반도체 생산 3거점 체제’를 구축했다고 설명했다.

‘글로벌 반도체 생산 3거점 체제’란 시스템 반도체를 중심으로 하는 미국, 메모리 반도체를 중심으로 하는 중국, 그리고 모든 반도체 제품을 생산, 조정하는 한국으로 구축된 체제다.

한편, 중국 공장이 위치한 시안은 1100여 년간 중국의 수도 역할을 담당한 역사적 도시로, 과거 동양과 서양의 문물을 연결하던 실크로드의 출발점이기도 하다.

(CNB=정의식 기자)